НАЦИОНАЛЬНОЕ ДОСТОЯНИЕ

ОАО «НИИМЭ и Микрон»

Микроэлектроника… Уже более полувека она является доминантой научно-технического прогресса человечества, питательным эликсиром, мерилом технологического уровня, а значит, основой для успешного развития практически всех отраслей мировой экономики. Трудно назвать сферу цивилизованной деятельности человека, способную обходиться без микроэлектронного чипа.

Лишись его, и мир вполне мог бы оказаться в состоянии глобального катаклизма. Ниже мы обращаемся к истории развития научной и инженерной мысли на этом направлении, ее промышленной реализации в СССР, а после его распада — в России. Издатель считает, что лучшей иллюстрацией для этого может послужить история отдельно взятой российской компании, ОАО «НИИМЭ и завод Микрон», широко известной в стране и за рубежом. Почему именно эта компания? Ответ очевиден: в начале 1960-х годов, на заре эпохи микроэлектроники, Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (НИИМЭ) и завод «Микрон» находились у истоков отечественной микроэлектроники, а все последующие десятилетия они, как единое предприятие, занимают лидирующие позиции в России (СССР) в разработках и в производстве изделий микроэлектронной техники.

В начале пути

Июнь 1959 года. Пленум ЦК КПСС рассматривает вопросы внедрения комплексной механизации и автоматизации производства, в том числе создания вычислительной техники. Этого настоятельно требовало также решение задач, стоявших перед государством в оборонной сфере. Актуальность проблемы объяснялась развитием полупроводниковой электроники. В то время шла разработка цифровых ЭВМ второго поколения, где уже использовались полупроводниковые приборы, а не электронные лампы. Руководство страны ставит задачу выработки стратегии развития электроники в стране.

Радиоэлектронные комплексы и аппаратура стали потреблять десятки миллионов дискретных электронных компонентов. И это объективно не могло обеспечить резко возросшие требования к надежности, потребляемой мощности, весу и габаритам. Разработка и производство полупроводниковой интегральной элементной базы для радиоэлектронных систем вооружения и народнохозяйственного назначения встали на повестку дня — назрел вопрос о создании промышленности микроэлектроники.

В 1961 году создается Государственный комитет по электронной технике СССР (ГКЭТ), председателем которого назначается А.И. Шокин, талантливый инженер и организатор. А 8 августа 1962 года появляется предельно конкретное Постановление ЦК КПСС и Совета министров СССР о создании Центра микроэлектроники (впоследствии Научного центра) как головной организации в стране по микроэлектронике — функционально полный комплекс НИИ с опытными заводами, имеющий все необходимое и решающий все проблемы создания и применения ИС. Главная задача, поставленная перед Центром, — обеспечение разработок опытного и организация в дальнейшем серийного производства интегральных схем на мировом уровне в интересах обороны страны и народного хозяйства. Здесь должны были разрабатываться технологические процессы, специальные материалы, технологическое и контрольно-измерительное оборудование, непосредственно ИС, а также РЭА на их основе. Все это должно отрабатываться на опытных заводах, а затем передаваться для производства на серийные заводы, освобождая мощности опытных для новой продукции. Постановление о создании Центра микроэлектроники продемонстрировало комплексный подход к решению важнейшей государственной проблемы.

Лукин Фёдор Викторович лауреат Ленинской премии дважды лауреат Сталинской премии

Новый институт разместили временно в Москве, на площадях НИИ-35. Его задачей являлись разработка, опытное, а затем и серийное производство полупроводниковых интегральных микросхем. Директором института был назначен И.А. Гуреев. Первые практические шаги нового института полностью определял А.И. Шокин. И.А. Гуреев, будучи по специальности строителем, полностью посвящал себя вопросам возведения в Северной зоне Зеленограда основного корпуса НИИ. В его строительстве рабочим часто помогали без отрыва от основной работы сотрудники института.

В советской «кремниевой долине»

Первые годы. В только что построенном городе Зеленограде, советском центре микроэлектроники, п/я 2021 разместили в помещениях завода «Элион», а затем перевели на завод «Компонент». Там начали создавать гермозону с технологическими линейками подразделений, а затем и цех опытного производства НИИМЭ.

В январе 1965 года директором «почтового ящика» стал К.А. Валиев, незадолго до этого возглавлявший Физический сектор, объединявший несколько лабораторий, предприятия п/я 2015 (Научно-исследовательский институт микроприборов). Собственно, с этого момента и началась организация научной работы. Позднее выяснится, что новый институт создавался именно под этого молодого талантливого ученого и столь же талантливого организатора. Он был даже автором его названия. К.А. Валиеву, единственному доктору наук в своем учреждении, шел в то время только 35-й год.

Все другие руководители института были тоже не старше 35, а начальники разрабатывающих подразделений — не старше 40 лет.

В стране тогда вряд ли нашелся бы другой физик-теоретик, который бы решился, как Валиев, взяться за организацию столь сложного нового технического направления. Сказался, видимо, молодой задор. Во всяком случае, спустя десятилетия о К.А. Валиеве будут говорить как об одном из создателей отечественной микроэлектроники.

К.А. Валиеву предстояло наладить и производство интегральных схем, последовательно расширяя их номенклатуру. Новому директору потребовалось всего две недели, чтобы оценить ситуацию и, обсудив ее с директором НЦ Ф.В. Лукиным, министром электронной промышленности А.И. Шокиным (в марте 1965 года ГКЭТ, как и остальные оборонные госкомитеты, был преобразован в министерство с подчинением ему серийных заводов), предложить программу работы института на ближайшее время.

В качестве первоначальных шагов программа предусматривала следующее: освоение и организацию производства, планарного биполярного транзистора «Плоскость», разработанного в 1963 году в НИИ «Пульсар» (как говорил позднее Камиль Валиев, в нем «саккомулирован отечественный опыт планарной технологии на кремнии, основные процессы которой были пригодны и для интегральных схем»); создание с этой целью цеха по производству транзистора и достижение высокого выхода годных приборов и требуемой надежности; определение структуры института и функционального назначения каждого его подразделения; подбор кадров.

Министр электронной промышленности СССР
А.И. Шокин на предприятии. Конец 1960-х годов

К тому моменту предприятие насчитывало уже 400 сотрудников. Темпы его развития были стремительными. Отдел кадров порой принимал на работу сотни человек в месяц. Многие из них были «просто физиками» из академических институтов или с кафедр высших учебных заведений. Имели место проблемы с организацией работ: в первое время у разработчиков не было необходимой вычислительной техники.

Лишь позднее в институте появилась ЭВМ БЭСМ-4, а затем БЭСМ-6. В НИИМЭ к тому времени уже были созданы две лаборатории. Определившись с целями и задачами, п/я 2021 приступил без промедления к работе. 25 февраля 1965 года в Зеленоград с предприятия п/я 2015 на п/я 2021 был переведен отдел кремниевой технологии, уже работавший по тематике нового направления.

На основе этого коллектива первым был создан отдел 110 во главе с С.А. Гаряиновым. В отделе были лаборатории, возглавляемые В.Г. Ржановым, А.В. Лубашевским, А.В. Лубашевской, В.Я. Контаревым, А.В. Раковым. Одной из первых разработок отдела были диодные матрицы по теме «Микроэлемент-2» для новых отечественных ЭВМ специального назначения.

В коллективе царила атмосфера творчества и энтузиазма. В том же 1965 году в НИИМЭ (на площадях завода «Компонент») была запущена технологическая линия цеха по производству транзистора «Плоскость». Инженеры НИИМЭ и НИИ точного машиностроения в течение 6–9 месяцев разработали, изготовили и поставили полный комплект оборудования «Плоскость». Его собирали, как говорится, с миру по нитке. В конце 1965 года был заключен контракт на поставку комплекта оборудования для производства полупроводниковых приборов по планарной технологии, а также технологической документации с английской фирмой «Vaсwell».

Параллельно формулировалось техническое задание для НИИ точного машиностроения на разработку отечественной линии по производству планарных транзисторов. Идеологом разрабатывавшегося тогда комплекта технологического оборудования для производства полупроводниковых приборов на пластинах диаметром 60–75 мм («Корунд-С») был назначенный в 1966 году главный инженером НИИМЭ А.Р. Назарьян (до 1970 года «Микрон» работал на пластинах 25–40 мм).

Выпуск таких линий для НИИМЭ и вновь строящихся предприятий электронной промышленности в различных городах Советского Союза осуществлялся на заводе «Элион». В январе 1966 года коллектив переехал в новое здание своего института. Вопрос «Что делать с опытным цехом?» был решен так: оставить его заводу «Компонент», так как роль «школы» для сотрудников он уже выполнил. Институт развернул широкий фронт исследовательских работ, причем начинать приходилось практически с чистого листа, порой — с нулевых знаний.

Шокин Александр Иванович дважды Герой Социалистического Труда лауреат Ленинской премии дважды лауреат Сталинской премии министр электронной промышленности (1965–1985)	Валиев Камиль Ахметович лауреат Ленинской премии Государственной премии РФ премии Правительства РФ академик РАН доктор физико-математических наук профессор директор НИИМЭ (1965–1977)

Первой завершенной и поставленной на производство с приемкой заказчика разработкой института явилась транзисторная пара с общим коллектором — микросхема токового переключателя «Иртыш», разработанная в 1966 году и принятая государственной комиссией в феврале 1967 года, в дальнейшем — микросхема серии 101 (главный конструктор — Е.П. Дробышев).

Эта микросхема была первой зарегистрирована в Советском Союзе, на нее были выпущены первые технические условия, и она первой пошла в серию. Микросхема долгое время пользовалась большим спросом у разработчиков и изготовителей радиоэлектронной аппаратуры.

Выпуск микросхем институт наладил, сразу же организовав опытный цех 02. В первом квартале 1966 года опытный цех по выпуску кремниевых микросхем производил уже по 100 тыс. микросхем в месяц. Был начат выпуск первых серий полупроводниковых микросхем: интегрального прерывателя («Иртыш»), микромощных ИС резистивно-транзисторной логики («Микроватт»), ИС диодно-транзисторной логики (ДТЛ) («Логика»). Параллельно начались работы по созданию приборов на сложных полупроводниковых соединениях.

Их возглавил кандидат физико-математических наук Ю.И. Пашинцев. Под его руководством были заложены основы технологии создания СВЧ диодов Ганна на арсениде галлия, а также проводились физические исследования исходного материала. Создание в институте технологических линий производства ИС, где проходили стажировку специалисты КБ и полупроводниковых заводов из многих городов Советского Союза, определило не только структуру института, но в значительной мере также организацию НЦ и входящих в него предприятий.

Отдел 100 занимался проектированием интегральных схем, 110-й отдел разрабатывал технологии изготовления микромощных микросхем на основе транзисторных логических схем с непосредственными связями, 120-й — технологии микросхем диодно-транзисторной логики, 130-й — микросхем транзисторно-транзисторной логики, 150-й — токовых ключей и микросхем быстродействующей диодно-транзисторной логики, 140-й — интегральных микросхем на основе МОП-структур. 200-й отдел (начальник отдела — Ю.Н. Дьяков) разрабатывал базовые технологические процессы микроэлектроники (А.А. Милов), начиная с производства кремниевых пластин и эпитаксии (Е.С. Любимов) и кончая сборкой (К.И. Худяков) и измерением (А.И. Глазачев) с изготовлением нестандартного оборудования.

Казакул Антонина Алексеевна полный кавалер ордена Трудовой славы	Ковалёв Рудольф Александрович лауреат Ленинской премии

Ежегодно институт разрабатывал около 25 типов ИС, на каждую из которых имелись гражданский и военный заказчики. Государство не жалело средств на развитие микроэлектроники, поэтому результаты были ошеломляющими. Если при обычных темпах разработки промышленного продукта в то время требовалось 5–6 лет, то в советской «кремниевой долине» — 8–10 месяцев.

В каждом акте государственной комиссии по приемке опытно-конструкторских разработок рефреном проходят слова «впервые …»:

– 1966 год — впервые в СССР был создан высококачественный прерыватель для коммутации слабых сигналов постоянного и переменного тока; в технологии изготовления интегральных прерывателей использованы новейшие достижения планарной технологии; в процессе выполнения ОКР «Иртыш-1» освоен промышленный выпуск изделий… и к моменту начала работы комиссии изготовлено свыше 30 тыс. интегральных прерывателей;

— впервые в стране проведены испытания отечественных ТС (твердых схем) в объеме около 106 схемо-часов. Впервые в стране проведено исследование радиационной стойкости отечественных ТС;

— 1967 год — впервые в отечественной практике изучен комплекс свойств поверхности Si и системы Si-SiO2, полученной термическим окислением и пиролизным наращиванием SiO2 с внедрением в производство изделий «Иртыш» и «Микроватт»;

— впервые в СССР досрочно созданы ИС (инверторы) на основе МОП-транзисторов, и впервые разработана технология производства ИС на основе МОП-транзисторов;

— впервые в отечественной промышленности осуществлена разработка микроваттных ИС «Микроватт» по совмещенной технологии с одновременным освоением в опытном производстве — к началу работы комиссии изготовлено более 100 тыс. штук;

— впервые в отечественной промышленности разработана и освоена на опытном заводе совмещенная технология изготовления ИС. Конструкция кристаллов и технология оригинальны, на что получены свидетельства об изобретении;

— впервые в отечественной практике на основе высокоомных слоев создана базовая технология изготовления усилителей считывания и формирователей тока — первая в СССР работа по созданию серии монолитных ИС для управления магнитными ЗУ.

НИИМЭ плюс «Микрон»

НИИМЭ, разрабатывая новые отечественные перспективные технологии производства ИС, «прокатывал» их на опытном производстве в двух цехах, расположенных в корпусе НИИМЭ. В 1965 году в институте вводится должность начальника производства, а в 1966 году, еще до назначения главного инженера НИИМЭ, заместителя директора по производству и занимает ее И.А. Ройзенблит.

Наладить серийное производство ИС на своих ограниченных площадях было крайне сложно. Практически всю разработанную в НИИМЭ номенклатуру приходилось производить на опытном заводе при институте, который был создан 1 февраля 1967 года приказом МЭП.

В сентябре 1967 года был заложен фундамент новых корпусов завода. Первая секция, № 4, «Микрона» была сдана под монтаж в 1969 году. Там уже в 1970 году начал работу цех по производству интегральных схем. В ходе строительства завода и с началом его работы на нем постоянно находились разработчики НИИМЭ. Бывали они там не как сторонние наблюдатели — работали наравне с заводчанами: отлаживали технологическое оборудование, настраивали измерительную технику, отрабатывали технологические процессы, запускали и «прогоняли» партии пластин, анализировали причины брака, добивались повышения выхода годных и устранения ошибок.

Для обеспечения высоких требований по чистоте и микроклимату создавались рабочие места и локальные зоны с автономным обеспыливанием. Еще 3 секции завода вошли в строй в 1971 году. Общая производственная площадь предприятия составила более 60 тыс. кв. м. Основное ядро персонала завода формировалось из инженерно-технических работников и рабочих НИИМЭ. Все опытно-конструкторские работы НИИМЭ завершались внедрением изделий и технологии в производство. Поэтому некоторые лаборатории НИИ постоянно работали в цехах завода.

А.И. Шокин, А.В. Пивоваров и К.А. Валиев с работниками предприятия,
удостоенными государственных наград. 1971 год

В 1980 годах эта практика получила организационное оформление в виде временных научно-производственных коллективов (ВНПК) или научно-производственных комплексов (НПК). Первые руководители «Микрона» К.А. Валиев и А.Р. Назарьян твердо придерживались точки зрения, что успешная деятельность предприятия возможна лишь при условии тесного взаимодействия науки и производства, причем организатором и исполнителем внедрения разработок института в производство должны быть подразделения НИИ. При этом с 1970 года стало традицией назначать технического руководителя завода из числа работников НИИМЭ.

К этому времени окончательно сложилась структура предприятия, сохранившаяся на десятилетия: она представляет собой двуединство НИИМЭ и завода «Микрон». Одновременно в основном была завершена организация завода. Основные цехи получили номенклатурную специализацию. Позже производственная структура завода была изменена. Были созданы два цеха по изготовлению кристаллов интегральных схем, сборочный цех, цех изготовления фотошаблонов и цех измерений и испытаний.

Такая организационная структура производства впоследствии была принята основной практически для всех предприятий микроэлектроники страны. Важнейшей задачей НИИМЭ и «Микрона» стало создание базовых технологических процессов. В тот период разработки все новых типов микросхем получили в НИИ по-настоящему массовый характер. Их ждали потребители, их нужно было производить. Поэтому «Микрон», хотя и был, по сути, опытным заводом, был вынужден производить также серийную продукцию. Но возможности изготавливать всю необходимую номенклатуру ИС, требования к которой очень быстро росли, были ограниченными.

Возникла необходимость передачи выпуска изделий на серийные заводы. С 1968 года разворачивается широкая и целенаправленная работа по передаче разработок НИИМЭ в производство предприятиям-дублерам. В том году Конструкторскому бюро «Вента» в Вильнюсе было передано производство микросхем «Логика-1», а ленинградскому заводу «Светлана» — производство бескорпусных микросхем «Микроватт».

В работе института возникло совершенно новое направление, которое будет существовать долгие годы, появились новые задачи, новые требования. Чем теснее становились кооперационные связи предприятия, чем больше появлялось у него предприятий-дублеров, тем труднее оказывалась организация работы этого сложного механизма. Многие предприятия осваивали изделия и технологии НИИМЭ для улучшения своих технико-экономических показателей. Инженеры НИИМЭ создавали нестандартное контрольно-измерительное оборудование для оснащения предприятий-дублеров. Институт совместно с заводом ставил базовый процесс, решал основные узловые вопросы и переходил к разработке новых изделий.

Таким образом, задачи повышения технико-экономических показателей производства решались как на родном заводе, так и на предприятиях-дублерах. Тесному взаимодействию с предприятиями-дублерами послужило совершенствование системы стажировки и обучения кадров. На территории страны не было ни одного предприятия микроэлектроники, которое бы не выпускало микросхем или не использовало технологии, разработанные в НИИМЭ.

Ежегодно на другие предприятия страны передавалось на производство несколько десятков изделий. Изделия НИИМЭ были внедрены на предприятиях в Вильнюсе, Киеве, Фрязино, Львове, Павловском Посаде, Новгороде, Таллине, Риге, Шяуляе, Херсоне, Запорожье, Саранске, Орле, Нальчике, Загорске (Сергиев Посад), Новосибирске (два завода), Александрове, Калуге, Нальчике. Изделия НИИМЭ выпускались на «Ангстреме» и «Светлане». Для их производства были созданы заводы «Мион» в Минске (НПО «Интеграл»), «Мезон» в Кишинёве с филиалом в Бендерах, «Азон» в Баку, «Мион» в Тбилиси с филиалами, заводы в Ульяновске, Черновцах, Зеленодольске, Великих Березнах. С использованием технологий, разработанных в НИИМЭ, работали заводы в Брянске, Томилино.

Председатель Совета министров СССР А.Н. Косыгин в НИИМЭ

Система НИИМЭ по подготовке и организации производства на серийных заводах продемонстрировала свою эффективность в 1972 году при продаже лицензии и организации производства микросхем серии К155 в Польше. Объемы внедрения разработок НИИМЭ на предприятиях отрасли не имели, не имеют и, наверное, никогда не будут иметь прецедента в истории отечественной промышленности.

В 1974 году в НЦ принимается решение о создании научно-производственного комплекса (НПК), в который помимо НИИМЭ с заводом «Микрон», с ведущей ролью, вошли предприятия в Баку, тбилисский НИИ «Мион» и кишинёвский завод «Мезон».

В 1974 году за личный вклад в дело становления отечественной микроэлектроники и организацию разработок и производства широкой номенклатуры интегральных схем директор НИИМЭ и завода «Микрон» К.А. Валиев был удостоен Ленинской премии.

В научном поиске

НИИМЭ отличало от других научных учреждений этого профиля то обстоятельство, что, создавая технологии и изделия для крупносерийного производства, уникальные, очень надежные микросхемы, которые были не по плечу в стране никому другому для комплектования важнейших систем, НИИ осуществлял не только конструкторские и технологические разработки. Достаточно широко и на хорошем научном уровне проводились также поисковые экспериментальные и теоретические исследования. К.А. Валиев вспоминал: «Коллектив НИИМЭ взял на себя ответственность за развитие и производство массовых серий ИС — ТТЛ, ЭСЛ, КМОП».

В этом была громадная заслуга целой плеяды блестящих специалистов тех лет:

Б.А. Безбородникова, Б.С. Борисова, А.П. Голубева, Е.П. Дробышева, Ю.Н. Дьякова, Г.Г. Казеннова, В.Я. Контарева, М.А. Королёва, А.В. Лубашевского, А.В. Лубашевской, Е.С. Любимова, А.А. Милова, Ю.Д. Реформатского, А.В. Ракова, В.А. Смирнова и многих других, составлявших научную школу К.А. Валиева, продолжавшую активно действовать и после его ухода с предприятия в 1977 году.

У нее были типичные институциональные формы научной деятельности: она имела научно-технический совет, ее членов отличало единство взглядов на научные проблемы, проходили семинары, конференции. Валиевская, или зеленоградская научная школа, как ее еще называют, прекрасно функционирует и по сей день. Теперь ее возглавляет нынешний руководитель предприятия академик РАН Г.Я. Красников. Устойчивость ей всегда придавали и придают желание брать на себя решение главных задач, разработку базовых серий интегральных схем, стремление быть идеологом новых отраслевых разработок, быть головным предприятием отрасли.

Строительство здания завода «Микрон»

Разрабатывавшиеся схемы и технологии, вопреки некоторым утверждениям, будто в НИИМЭ копировались американские схемы, были полностью оригинальными. Использовался лишь принцип создания функциональных аналогов международных серий микросхем. Работы велись по всем известным на то время технологическим направлениям: микромощные схемы, токовые ключи, микросхемы диодно-транзисторной и транзисторно-транзисторной логики, линейные и МОП-микросхемы.

Проектирование микросхем в 1970-е годы

В 1966 году институт разработал базовый технологический процесс с изоляцией обратно смещенными р-n-переходами. В 1967 году были получены первые цифровые и аналоговые кремниевые интегральные схемы и первые в мире функциональные приборы на полевых транзисторах с затвором Шотки и приборами Ганна в одном кристалле.

В 1968 году директор НИИМЭ К.А. Валиев поставил перед коллективом научную задачу создать логические интегральные схемы на основе арсенида галлия. Она была поручена Л.Н. Кравченко, в то время аспиранту МИЭТ (впоследствии — доктор технических наук, профессор).

К 1969 году он совместно со студентом-практикантом П.В. Панасенко (впоследствии — доктор технических наук, профессор) впервые в стране разработал планарную технологию изготовления приборов на арсениде галлия.

Чуть позднее коллектив в составе Ю.И. Пашинцева, Л.Н. Кравченко, А.А. Орликовского (впоследствии — академик РАН) и П.В. Панасенко под руководством К.А. Валиева впервые создаст логические и функциональные приборы на основе арсенида галлия, а также экспериментально продемонстрирует их работоспособность в гигагерцевом диапазоне, то есть способность работать со скоростями миллиарды логических операций в секунду.

НИИМЭ буквально с первых дней своего существования начал уверенно осуществлять роль флагмана отечественной микроэлектроники. Особенностью предприятия была работа по комплексным, ориентированным на конечные системы программам. НИИМЭ был определен головным институтом по обеспечению элементной базой важнейших на то время оборонных систем. В этих программах были задействованы десятки предприятий при головной роли НИИМЭ.

Еще на рубеже 1966–1967 годов было принято решение о необходимости разработки и организации массового производства советских ЭВМ на отечественной элементной базе для всех отраслей народного хозяйства. Почти одновременно широким фронтом началась разработка интегральных микросхем двух конструктивных исполнений для специального и широкого применений.

Это были программы государственного значения, и больше таких прецедентов в отечественной электронной промышленности по комплексному обеспечению новыми ИС практически не было. Результатом этих работ были новые микросхемы, технологии, материалы, оборудование, а венцом этого — новые системы.

Одной из первых программ была работа по созданию микросхем для систем вооружения ПВО и единой системы ЭВМ — ЕС ЭВМ. Их главными заказчиками были ЦКБ «Алмаз» (генеральные конструкторы — академик А.А. Расплетин, с 1967 года — академик Б.В. Бункин), Научно-исследовательский центр электронной вычислительной техники (директор — В.В. Пржиялковский).

В конце 60-х годов в НИИМЭ были начаты работы по созданию функционально сложных микросхем запоминающих устройств оперативных, постоянных, программируемых, сумматоров, умножителей и т.д. В 1970-е годы в НИИМЭ были разработаны микропроцессорные комплекты различного быстродействия и назначения. Их создателями были В.Я. Контарев, Ю.И. Шетинин, Б.В. Орлов, А.И. Березенко и другие разработчики.

Было создано несколько серий цифровых, линейных, линейно-импульсных микросхем для создания радиоэлектронной аппаратуры самого широкого применения — от систем противовоздушной обороны и космических аппаратов различного назначения до систем вычислительных машин и комплексов самого широкого назначения. Экономический эффект от применения новых микросхем на предприятиях-изготовителях аппаратуры исчислялся десятками миллионов рублей. Основным участникам этих разработок позднее были присуждены Государственные премии СССР и премии Ленинского комсомола.

В 1970 году Совет министров СССР и Военно-промышленная комиссия дают задание приступить к разработке сверхбыстродействующих ИМС ЭСЛ-типа со средним временем задержки 2,5 нc. Их ближайшим функциональным аналогом были ИМС фирмы «Motorola» серии МС10000. Схемы подобного класса были крайне необходимы для создания высокопроизводительного сверхбыстродействующего комплекса супер-ЭВМ «Эльбрус», «Эльбрус-1», управляемых реактивных комплексов специального назначения, предназначенных для системы ПВО страны.

Участок эпитаксии завода «Микрон»

Заказчик — Институт точной механики и вычислительной техники (ИТМиВТ, директор — академик С.А. Лебедев). Первоначально ставка делалась на создание ИМС — аналогов серии МС10000. Однако в ходе обсуждения проблемы специалисты НИИМЭ убедили руководство НЦ в том, что в состоянии делать ИМС с параметрами лучшими, чем зарубежные аналоги.

В итоге было принято историческое решение о начале соревнования с США в области создания новых супер-ЭВМ и систем автоматики. Задание на разработку серии ИМС этого типа было поручено четырем организациям: в Зеленограде, Минске, Ленинграде, Вильнюсе. Головной организацией стал НИИМЭ. Задача достижения новых технологических рубежей была поставлена перед всеми технологическими отделами. На этом этапе вышло на новый уровень взаимодействие института и опытного завода. Технологи завода стали принимать непосредственное участие в создании и отработке технологических процессов при практически постоянной миграции специалистов НИИ и производства между двумя предприятиями. На НИИМЭ была также возложена головная роль по созданию нового поколения технологического, испытательного и измерительного оборудования, материалов и организации кооперации около 20 ведущих предприятий страны для решения этих проблем.

В начале 1970-х годов коллектив института и завода насчитывал уже около 8 тыс. человек. НИИМЭ ежегодно разрабатывал до 50 новых микросхем. Требовалась организация работы, которая позволила бы резко сократить сроки проектирования новых схем. Свое решение она нашла к 1973 году в виде первой в отрасли системы автоматического проектирования больших интегральных схем (САПР БИС). Производительность труда проектировщиков возросла примерно в 20 раз. Система представляла собой иерархическую трехуровневую организационную структуру, включавшую высокопроизводительную ЭВМ-аппаратуру сопряжения (коммутатор малых машин), автоматизированные рабочие места проектировщиков.

В стране появилась первая мощная САПР БИС на базе отечественных ЭВМ БЭСМ-6 и в дальнейшем «Эльбрус». Она была продемонстрирована почти всем членам Политбюро ЦК КПСС. Большая заслуга в создании отечественной САПР СБИС принадлежала члену-корреспонденту Академии наук СССР Б.В. Баталову, кандидату технических наук Е.В. Авдееву, доктору технических наук Г.Г. Казённому, А.П. Котко, В.А. Неклюдову, Г.И. Стороженко, С.П. Терентьеву, Н.И. Щавлеву и доктору технических наук В.М. Щемелинину.

Цех 01. 1960-е годы

В 1975 году участники этой выдающейся работы были отмечены Государственной премией СССР в области науки и техники. В силу многообразия и важности задач, стоявших перед предприятием, в НИИМЭ велись работы по различным направлениям технологии микроэлектроники. Впервые в стране были созданы базовые технологические процессы производства микросхем, и имена Б.А. Безбородникова, А.С. Валеева, Е.П. Дробышева, М.А. Королёва, О.И. Крамаренко, А.В. Лубашевского, Н.М. Луканова, М.И. Лукасевича, Е.С. Любимова, К.И. Худякова и других технологов и разработчиков предприятия стали широко известны специалистам микроэлектроники в нашей стране. Создавались новые техпроцессы и конструкции микросхем. Как правило, институт совместно с заводом ставил базовый процесс, решал основные узловые вопросы и шел дальше. А задачи повышения технико-экономических показателей производства, как на родном заводе, так и на предприятиях-дублерах решались в основном работниками «Микрона».

В 1980-е годы платы радиоэлектронной аппаратуры, заполненные относительно простыми логическими схемами, стали постепенно вытесняться схемами, которые в одном кристалле содержали матрицы вентилей или стандартные ячейки. Эти базовые матричные кристаллы (БМК) и представляют собой логические блоки, из которых составляют схему. Регулярность такого типа структуры привела в конечном итоге к увеличению производительности проектирования и расширению рынка.

Задачи по разработке этих микросхем первыми реализовывались в НИИМЭ под руководством Н.С. Самсонова.

В 1983 году в НИИМЭ был организован промышленный выпуск БМК И-200 и БМК И-300 для отечественных ЭВМ. К концу 1980-х годов НИИМЭ с заводом «Микрон» имеют практически все известные базовые технологии производства интегральных микросхем.

 
Вручение предприятию государственной награды —
ордена Трудового Красного Знамени. 1983 год

В 1985 году НИИМЭ с использованием электронно-лучевой литографии получены тестовые образцы кристаллов ИС с топологической нормой 0,5 мкм. К началу 1990-х годов в НИИМЭ с заводом «Микрон» выпущены первые СБИС с программируемыми логическими матрицами серий 556 и 1556; организован промышленный выпуск базового матричного кристалла БМК-И-300Б с быстродействием 0,35 нс на вентиль, 1500 вентилей на кристалле в качестве элементной базы отечественных суперЭВМ; разработана отечественная суперсовмещенная технология (ССТ) получения биполярных транзисторов с высокой степенью интеграции и быстродействием 0,15 нс на вентиль.

НИИМЭ и «Микрон»
в условиях новой России

Перестройка на рубеже 1980-х — 1990-х годов привела к обвалу электронной промышленности. Начавшиеся вслед за этим кардинальные перемены в экономической политике страны, разумеется, не могли не сказаться на жизни и НИИМЭ, и «Микрона». Тревожные августовские дни 1991 года предприятие встречало с новым генеральным директором Г.Я. Красниковым, последовательно прошедшим до этого вcе ступени производственной карьеры от начальника участка цеха 04 до начальника кристального производства — заместителя главного инженера завода «Микрон».

В течение нескольких лет предприятие не получало никакой помощи от государства. В результате НИИ был вынужден практически отказаться от фундаментальных исследований, вдвое уменьшить численность персонала, а заводу пришлось рассчитывать главным образом на внешний рынок. Но работа продолжалась, при этом вопросы качества продукции, несмотря на форсмажорные обстоятельства, не становились для коллектива менее актуальными.

В начале 1990-х годов началась приватизация. НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» были преобразованы в единую организацию — акционерное общество открытого типа «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод «Микрон» (впоследствии — ОАО «НИИМЭ и «Микрон»), зарегистрированное Московской регистрационной палатой 13 января 1994 года. Благодаря этому принципиальному решению удалось не только сохранить, но и укрепить технологическую цепочку, связывающую в единый цикл разработку и выпуск продукции. Г.Я. Красников, как руководитель организации, сосредоточил свои усилия на разработке и внедрении прогрессивных базовых технологий изготовления СБИС, обеспечении предприятия автоматизированным контролем параметров БИС, создании чистых производственных помещений, переоснащении предприятия современным технологическим оборудованием, создании конкурентоспособной продукции и выводе ее на зарубежный рынок.

В целом и НИИМЭ, и заводу «Микрон» после распада Советского Союза удалось вписаться в новые условия. В тот период основным партнером предприятия становится крупная южнокорейская компания «Samsung Electronics», сертифицировавшая производство предприятия и аттестовавшая его персонал. Первые поставки для нее были сделаны в конце 1991 года. Объем продаж за рубеж доходил в те годы до 85% от всей производимой продукции.

Об успехах предприятия в годы работы в условиях новой России свидетельствует даже далеко не полный перечень его научно-производственных свершений. В начале 1990-х годов в «НИИМЭ и Микрон» закончен монтаж чистой комнаты «Озон 1» класса 10 на основе отечественных комплектующих и оборудования; «Микрон» получил право самостоятельного выхода на зарубежные рынки, начата серийная поставка кристаллов ИС для фирмы «Samsung».

Были изготовлены кристаллы 60К матричных микросхем, впервые изготовлены микросхемы 8-битового микропроцессорного комплекта на арсениде галлия, организован выпуск цифровых микросхем на арсениде галлия (серия 6500) — работы удостоены премии Правительства РФ; освоены биполярные статические ОЗУ16К, ТТЛШ и 32-разрядные КМОП-микропроцессоры, разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП 572 серии.

Завод "Микрон". 1990-е годы

Учреждено первое совместное российско-австралийское предприятие по САПР «Microlab», совместное российско-китайское предприятие — ЗАО «Корона Семикондактор» для производства СБИС с разрешением 0,8 мкм. В 1995 году в ОАО «НИИМЭ и Микрон» разработана технология изготовления БиКМОП ИС и создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием самосовмещенной технологии (защищено семью патентами РФ) — были разработаны ЭСЛ-матричные схемы на 10000 вентилей с быстродействием 0,15 нс на вентиль. Впервые изготовлены микросхемы 256К КМОП ЗУПВ.

Освоено более 200 типов интегральных схем, ранее выпускавшихся на других предприятиях страны. В 1996 году завершено строительство и закончены пусконаладочные работы в новой чистой комнате с технологией производства 0,8–1,2 мкм на пластинах диаметром 150 мм.

В 1997 году разработана и начата поставка КМОП синтезатора частоты с проектными нормами 1,2 мкм и тактовой частотой 550 МГц. В 1998 году получены образцы делителя частоты ЭСЛ-типа по самосовмещенной технологии с тактовой частотой 2,5 ГГц.

30-летие НИИМЭ. В президиуме слева направо: К.А. Валиев, С.А. Громова,
А.Н. Дьяков, Г.Я. Красников, Л.А. Хавронский, А.Р. Назарьян, А.Э. Нестеров

В 1994 году на предприятии была принята Декларация, провозгласившая обеспечение качества главной задачей. Ее подписали все руководители предприятия, служб и начальники отделов. В 1999 году предприятие получило международный сертификат на соответствие системы управления качеством согласно нормам ISО–9001. Причем, выбирая для предприятия центр сертификации, руководство остановилось на английской компании «Bureau Veritas». Эта компания, имеющая более чем столетнюю историю в области сертификации качества, постоянно сертифицирует компании «Microsoft», «Siemens», «Sony», «Samsung Electronics». Предприятие сознательно поставило себя в рамки жестких требований к качеству, считая это залогом успешной работы на таком рынке, как микроэлектроника. Большая работа была проведена руководителем службы качества доктором технических наук В.Н. Панасюком.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» вошло в состав созданного на его базе холдинга ОАО «Концерн «Научный Центр» (КНЦ), ставшего одним из крупнейших объединений высокотехнологичных предприятий в Российской Федерации. Он был создан в мае 1997 года с целью консолидации ресурсов компаний для выполнения масштабных проектов в электронной отрасли. Первым президентом холдинга стал Г.Я. Красников, сохранявший и свой прежний пост генерального директора ОАО «НИИМЭ и Микрон».

Предприятия холдинга, основным акционером которого является АФК «Система», образовали полный цикл производства электроники от проектирования чипов до вывода на рынок массовой пользовательской техники.

В 2005 году ОАО КНЦ преобразовывается в ОАО «СИТРОНИКС», которое, к тому же, становится международной компанией.

В 2000 году на базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО «ВЗПП Микрон». В 2001–2005 годах в ОАО «НИИМЭ и Микрон» создан техпроцесс производства микросхем с минимальным размером 0,5 мкм. Разработана и защищена патентами РФ самосовмещенная технология БиКМОПИС с размерами эмиттера и базы биполярных транзисторов 0,35–0,18 мкм. Получены рубежные параметры химико-механической планаризации рельефа микросхем, обеспечивающие возможности формирования многоуровневых межсоединений. В это же время отработана технология изготовления структур кремний на изоляторе методами высокоэнергетичной ионной имплантации протонами.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» уверенно восстанавливает свои позиции на отечественном рынке сбыта, где его партнерами были в свое время около 4000 предприятий. Оно остается самой крупной в России компанией в области микроэлектроники по объемам производства, чистой прибыли и другим показателям. По росту объемов производства — прирост выпускаемой продукции составляет до 140% в год — ОАО входит в десятку наиболее успешно действующих предприятий радиоэлектронного комплекса России. Причем 80% выпускаемой продукции — это изделия разработок последних лет. Их номенклатура включает 930 типономиналов. Предприятие успешно выступает за рубежом. В числе его партнеров — компании США, Англии, ФРГ, Италии, Южной Кореи.

На предприятии идет постоянная смена поколений — это особенно острая проблема для высокотехнологичных российских промышленных предприятий. Неуклонно растет доля молодых специалистов, в последние годы она составляет около 20%. С целью привлечения и закрепления молодых специалистов принята комплексная программа, предусматривающая для иногородних работников компенсацию за оплату жилья. Она гарантирует достойную оплату труда, оплату обучения аспирантам и магистрантам, возможность получения второго высшего образования, а в особых случаях — предоставление ссуды на обустройство и приобретение жилья.

В рамках базовых кафедр НИИМЭ при МИЭТ и МФТИ ведется активная работа с вузами по подготовке для предприятия специалистов и научных кадров. Компания предоставляет вузам экспериментальную базу и возможности проведения совместных с предприятием научных исследований и разработок. В 2008 году на «Микроне» научно-исследовательские работы ведут два действительных члена (академика) РАН, один член-корреспондент РАН, 7 докторов наук и более 20 кандидатов наук.

Лидер отечественной микроэлектроники

НИИМЭ и завод «Микрон» сохраняли положение лидера в микроэлектронике и в советской, и в постсоветской истории этого сектора национальной экономики. НИИ с самого начала создавался как предприятие, призванное быть законодателем в разработке и технологии ИС. На нем впервые в отрасли появились первые металлизированные фотошаблоны, первая интегральная полупроводниковая схема с многоуровневой разводкой, первые чистые комнаты. НИИМЭ был одновременно своего рода академией, где готовились кадры высшей квалификации. Из стен предприятия вышли три действительных члена и два члена-корреспондента Российской академии наук, более 25 докторов и 60 кандидатов наук, внесших и продолжающих вносить весомый вклад в развитие отрасли.

К 1970 году, по истечении всего пяти лет с момента своего образования, институт стал общепризнанным головным предприятием отрасли по разработке и производству интегральных микросхем. Экспериментальные и теоретические исследования велись в НИИ на мировом уровне, конкурировать с ними в стране было практически некому. Из 26 функционально-технологических групп стандартных монолитных ИС по спецификации Electronics Buyer’s Guide на «Микроне» выпускалось 17, из 3 групп заказных монолитных ИС — 2. По этому показателю НИИМЭ и завод «Микрон» входили в первую десятку мировых полупроводниковых фирм. Эта продукция уверенно занимала место на рынке и успешно конкурировала с продукцией других заводов благодаря уже только тому, что была разработана в НИИМЭ и изготовлена «Микроном». Именно по этой причине в конце 1960-х годов НИИМЭ был определен в качестве головного института по обеспечению элементной базой важнейшей на то время и известной на весь мир своей эффективностью системы противоракетной обороны С–300.

Лауреат Нобелевской премии, академик РАН Ж.И. Алфёров
с визитом в ОАО «НИИМЭ и Микрон»

На правительственном уровне принимались решения по использованию разрабатываемых на предприятии серий ИС для систем «Ряд», «АСВТ», «Зонд–5», «Зонд–6», для разработки БЦВМ «Аргон–11», «Аргон–12». С той поры НИИМЭ и «Микрон» своих позиций никогда не сдавали. Большая заслуга в этом разработчиков микросхем и технологических процессов: Б.А. Безбородникова, А.П. Голубева, В.Я. Контарева, Ю.И. Щетинина, Б.В. Орлова, Н.С. Самсонова, А.И. Березенко, Е.С. Любимова, А.В. Лубашевского, Л.Н. Корягина, Л.Н. Кравченко, В.Н. Дягилева, А.С. Валеева, П.С. Приходько, В.С. Алисейко, В.И. Попова, С.Н. Зыбина, В.Я. Протасова, В.А. Неклюдова, К.А. Дракина, О.П. Гущина, В.Л. Евдокимова, А.И. Сапельникова, Ю.Ф. Адамова, Д.Г. Кравченко, В.Н. Савенкова, Ю.Д. Журавлёва, В.А. Балацкого и многих других.

Решающий вклад в организацию производства на заводе «Микрон» и на заводах-дублерах внесли И.А. Ройзенблит, В.А. Брук, Ю.С. Федоренко, Е.С. Горнев, Ю.А. Райнов, Ю.Н. Дьяков, .И. Полатайко, Б.И. Казуров, А.Д. Просий, А.М. Поликарпов, Ф.К. Железнов, И.О. Шурчков, А.Г. Титов, А.В. Маркин, М.В. Косулин, Л.А. Гришаев, И.М. Карпов, Ю.Н. Пирогов, С.А. Громова, Н.А. Щербаков, М.П. Еремеев, Ю.П. Афанасьев.

О достижениях и победах коллектива свидетельствуют многочисленные награды, которыми за годы своего существования было удостоено не только предприятие в целом, но и его работники. 12 апреля 1983 года НИИМЭ и завод «Микрон» награждены Указом Президиума Верховного Совета СССР орденом Трудового Красного Знамени за успешное выполнение заданий правительства по созданию и производству Единой системы ЭВМ. 30 октября 1979 года предприятию присвоено звание «Образцовое предприятие города Москвы». Его работники отмечены более чем 80 медалями ВДНХ СССР.

В 1981 году предприятию присуждено 1-е место во Всесоюзном соревновании по изобретательству и рационализаторской работе по отрасли. К тому времени было получено 500-е авторское свидетельство на изобретение, а в целом к 2000 году, начиная с 1967 года, — свыше 1280 авторских свидетельств и 30 патентов на изобретения, сформировавших основы отечественной твердотельной микроэлектроники. В декабре 2001 года ОАО «НИИМЭ и завод Микрон» присуждена премия Правительства Российской Федерации 2001 года за достижения в области качества продукции и услуг и внедрение высокоэффективных методов управления качеством.

Назарьян Арташес Рубенович дважды лауреат Государственной премии СССР доктор технических наук директор НИИМЭ и завода «Микрон» (1977–1986)	Красников Геннадий Яковлевич лауреат Государственной премии РФ дважды лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники академик РАН генеральный директор АО «НИИМЭ» председатель Совета директоров ПАО «Микрон» руководитель приоритетного технологического направления «электронные технологии» доктор технических наук профессор

В декабре 2004 года предприятие стало лауреатом VIII Всероссийского конкурса «Лучшие российские предприятия» в специальной номинации «За наивысшие достижения в области экологической политики и качества». В 2005 году оно награждено по результатам конкурса, в котором участвовали ведущие российские компании в области электроники, общероссийской независимой премией «Золотой чип» в номинации «За вклад в развитие российской электроники». Конкурс проводится при поддержке Министерства промышленности и энергетики РФ, Министерства экономического развития и торговли РФ, Федерального агентства по промышленности, Департамента науки и промышленной политики города Москвы. Предприятие вырастило целую плеяду орденоносцев и лауреатов престижнейших премий.

В советский период его истории ведущий специалист С.А. Громова удостоена звания Героя Социалистического Труда, 9 человек награждены орденом Ленина, 10 человек — орденом Октябрьской Революции, 56 — орденом Трудового Красного Знамени, 7 — орденом Дружбы народов, 87 — орденом «Знак Почёта», 94 — орденами Трудовой славы разной степени. Около 200 человек отмечены медалями «За трудовую доблесть» и «За трудовое отличие». Государственной премии СССР, присуждавшейся Постановлением ЦК КПСС и Совета министров СССР, были удостоены в разное время 25 сотрудников предприятия. В 1973 году она была впервые присуждена творческому коллективу из 6 человек за разработку и внедрение первой отечественной массовой серии микросхем транзисторно-транзисторной логики, составлявших основу элементной базы для единой системы ЭВМ стран СЭВ. В 1975 году еще один творческий коллектив предприятия в составе 9 человек был удостоен Государственной премии за разработку и внедрение системы автоматического проектирования интегральных схем (САПР ИС).

В 1986 году за создание эпитаксиальных структур со скрытыми слоями, разработку базовой технологии и организацию промышленного производства Государственную премию получили Е.С. Горнев и Е.С. Любимов. За личный вклад в повышение качества и надежности выпускаемых изделий бытового назначения Государственную премию получила сборщица микросхем А.Е. Харламова. В последний раз Государственная премия — за разработку и внедрение изделий в области вычислительной техники — была присуждена в 1987 году ведущему специалисту Ю.Н. Дубову и заместителю главного инженера завода «Микрон» В.И. Плехову, ведущему специалисту отрасли в области сборки микросхем К.И. Худякову. Ленинской премии в области науки и техники помимо К.А. Валиева был удостоен в 1987 году ведущий специалист Р.А. Ковалёв.

Премия Ленинского комсомола присуждалась молодым сотрудникам предприятий дважды: в 1970 году за разработку методов проектирования и изготовления серий полупроводниковых ИС и в 1974 году за разработку и освоение микросхем массовых серий.

В 2000 году премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники была присуждена Г.Я. Красникову, Л.Н. Кравченко и А.Н. Сапельникову, в 2001 году — В.Н. Панасюку, в 2004 году — Ч.П. Волку, Е.С. Горневу, Ю.В. Озерину и Ю.И. Плотникову.

Мэр Москвы Ю.М. Лужков знакомится с планами предприятия

ОАО «НИИМЭ и завод Микрон» выполняет полный цикл изготовления чипов, включающий проектирование, кристальное производство, сборку и испытания. Компания занимает без малого треть рынка микроэлектронных компонентов для высокотехнологичных предприятий России, на него приходится 70% всего российского экспорта, причем около 17% от оборота — это новейшие разработки, полученные в результате НИОКР. Предприятие выделяет на них 40 млн долл. США в год.

С 2005 по 2008 год прибыль ОАО за вычетом амортизации выросла в 10 раз, а объем продаж — в 6 раз. ОАО нацелено на решение новых амбициозных задач. В частности, планируется увеличение объемов производства за счет технического перевооружения производства, освоения элементной базы интегральных схем с субмикронными проектными нормами, расширения и обновления сборочного производства.

Не останавливается развитие интеллектуальной составляющей продукции ОАО, создаваемой проектировщиками и обеспечивающей большую часть добавленной стоимости. С целью создания инновационных продуктов открыт Центр проектирования. В нем работают около 200 человек.

На конец 2005 — начало 2006 года в ОАО пришлось существенное улучшение состояния дел в области научных исследований и разработок. Этому способствовала четко поставленная цель: выйти на совершенно новый уровень технологии и освоить производство СБИС с проектными нормами 0,18 микрона. Летом 2006 года предприятие подписало соглашение с франко-итальянской компанией ST Microelectronics, одной из ведущих в мире фирм по производству интегральных микросхем, о передаче «Микрону» технологии производства микросхем с таким топологическим уровнем. А в 2007 году на предприятии начали монтаж и подключение необходимого оборудования. Его запуск осуществлен совместно со стратегическим партнером — компанией ST Microelectronics.

В 2008 году «Микрон» уже был способен промышленно производить на новом оборудовании чипы по новой субмикронной технологии. Реализация этого проекта стоимостью 300 млн долл. США сделала «Микрон» первым предприятием в России, способным осуществлять полный цикл самостоятельного производства от чипа до смарткарт и бесконтактных (RFID) карт, применяемых в логистике и на транспорте, в системах безопасности во всем мире, а также ИС для современного телекоммуникационного оборудования. В последующем намечен переход на производство ИС с топологическим размером 0,13 микрона.

В 2007 году учреждена дочерняя компания «СИТРОНИКС — нанотехнологии» с целью строительства новой фабрики стоимостью 2 млрд долл. США (в ценах 2006 года) для выпуска СБИС с проектными нормами 65–45 нм на пластинах диаметром 300 мм.

Глобальный проект «Организация производства интегральных микросхем на пластинах диаметром 300 мм с проектными нормами 65–45 нм» был представлен компанией ОАО «НИИМЭ и Микрон» инвестиционной комиссии Министерства экономического развития и торговли (МЭРТ) в сентябре 2007 года на экономическом форуме в Сочи. Проект был одобрен, а 18 августа 2008 года Правительство РФ утвердило выделение средств из Инвестиционного фонда. Однако мировой финансовый кризис заставил правительство пересмотреть приоритеты, и проект был заморожен.

Взгляд в будущее

По оценкам многих экспертов, не за горами тот момент, когда технология производства кремниевых микросхем достигнет пределов физического (возможность размещать определенное число транзисторов на одном чипе) и экономического (резкое возрастание стоимости постройки новых заводов для производства современных микросхем и процессоров) пределов. Поэтому в мире идет активный поиск новых высокотехнологичных эффективных технологий. С тем чтобы не отставать от мирового сообщества в микроэлектронике и в наноэлектронике, ОАО «НИИМЭ и завод Микрон», научившееся перестраиваться прямо «на марше» и только что запустившее одну новую линию, планирует перейти к проектированию и производству СБИС с проектными нормами 90 нанометров.

Президент России В.В. Путин в ОАО «НИИМЭ и Микрон».
17 октября 2006 года

Предприятие впервые в России выходит также на совершенно новый уровень подготовки исходной информации для производства фотошаблонов, необходимых для изготовления микросхем. Таким образом, ОАО методично и последовательно сокращает технологическое отставание российской микроэлектроники от мировых лидеров отрасли. «Микрон» первым из российских производителей микроэлектроники сертифицировал свое производство по стандарту Системы экологического менеджмента ISO 14001.

Компания ведет целый ряд новых исследований в сотрудничестве с РАН, а наиболее важные из них — с институтами, так или иначе связанными с микроэлектронной технологией. Среди них такие, как ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН, ФТИРАН, ИФП СОРАН, ИПТМ РАН, ФИАН, ИОФАН, ИФХ СОРАН и др. ОАО проводит совместно с ними серьезные исследования в области создания новых технологий. С учетом того, что ОАО выходит на мировой технологический уровень, осуществляется серьезное сотрудничество в области микроэлектронной технологии с зарубежным научно-техническим сообществом. В частности, ОАО является одной из промышленных компаний, вошедших в консорциум из 15 европейских научных и промышленных организаций, по исследованиям в области плазмохимического травления для технологии с проектными нормами 32 нм.

Предприятие — одно из двух коммерческих фирм, вошедших в европейский консорциум по разработке глубокосубмикронной технологии плазменной обработки пластин. Причем наравне с такими научными центрами, как IМЕС (Бельгия), Дублинский университет, исследовательский филиал фирмы Phillips, что свидетельствует о признании ОАО в качестве лидера российской микроэлектроники не только в России, но и в Европе.

ОАО «НИИМЭ и завод Микрон» приняло активное участие в проведении опытно-конструкторских работ в рамках подпрограммы «Развитие электронной компонентной базы» на 2007–2011 годы, являющейся составной частью федеральной целевой программы «Национальная технологическая база». Подпрограмма предусматривала поэтапный выход электронной промышленности из кризиса за счет освоения новых технологий на приоритетных направлениях и завоевание и формирование рынков сбыта.

Инновационные достижения на 90% основаны на результатах работ в области микро- и наноэлектроники. Рассматривая результаты деятельности предприятия за последние 5 лет, трудно поверить, что к 2012 году ОАО «НИИМЭ и Микрон» совершило невозможное — перешагнуло через несколько технологических поколений и оказалось в когорте основных игроков мировой индустрии. Одним из главных достижений, без сомнения, является запуск фабрики по выпуску пластин диаметром 200 мм. Подобного производства на сегодня в России нет вовсе.

Новейшая чистая комната, новейшая инфраструктура и порядка 250 единиц новейшего оборудования — это всё новая фабрика «Микрона». При строительстве новой фабрики и поставке технологического, вспомогательного оборудования и оборудования для инфраструктуры было задействовано более 40 иностранных компаний из более чем 10 стран.

Государство на начальной стадии проекта вложило в него около 300 млн руб. в рамках Федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы». В проекте был занят лучший инженерный состав «Микрона». Привлечены инженеры из регионов и из-за рубежа — из числа уехавших в свое время в США, Германию, Сингапур высококлассных специалистов. А более 120 российских инженеров, работающих на производстве, прошли стажировку на западных микроэлектронных фабриках.

Деятельность по другим направлениям также была достаточно успешной: «Микрон» активно участвовал в проектах федерального масштаба, направленных на инновационное развитие экономики, был сделан ряд шагов для интеграции предприятия в мировую микроэлектронику. Велась активная научно-исследовательская деятельность: были выполнены планы по бюджетным НИОКР, успешно велись собственные разработки для 200 мм.

Изготовлены микросхемы для транспортных билетов, сданы на верификационные исследования микросхемы для паспортно-визовых документов. Основываясь на опыте, полученном при освоении лицензированной у компании STMicroelectronics технологии КМОП со встроенной памятью EEPROM, предприятие последовательно развивает новые технологии, нацеленные на другие сегменты, как-то: схемы обработки смешанных сигналов, схемы с малым потреблением, высокопроизводительные схемы, память и другие.

Одновременно осваиваются различные методы проектирования по технологии КМОП и БиКМОП. Только в 2008 году на «Микроне» было изготовлено около 300 млн RFID-билетов для транспортных предприятий России, в том числе Москвы, Магнитогорска и Тюмени. С 2008 года Московский метрополитен полностью перешел на RFID-билеты, выпускаемые «Микроном».

За достижения в области микроэлектроники генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» Геннадий Яковлевич Красников награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени. В том же году он избран академиком РАН и вошел в состав Совета руководителей (EMEA Leadership Council) Глобального полупроводникового альянса GSA (The Global Semiconductor Alliance).

Нобелевский лауреат, академик РАН Ж.И. Алфёров в ОАО «НИИМЭ и Микрон»
Май 2013 года

На новой технологической линии помимо выпуска собственных чипов планируется производство в режиме Foundry — контрактное производство микросхем, разработанных российскими fabless-компаниями, не имеющими своего производства.

С 2006 года «Микрон» собрал вокруг себя 28 дизайн-центров по России и СНГ, уже заключивших договора на производство продукции собственной разработки. 28 октября 2008 года в рамках Третьего Российско-китайского экономического форума было подписано соглашение о сотрудничестве между компаниями СМС и ОАО «НИИМЭ и Микрон».

В 2008 году «Микрон» начал поставки своей продукции компании СМС в рамках межправительственного соглашения по погашению долга бывшего СССР перед КНР. Китай является стратегическим партнером и для России, и для «Микрона». Около 35% экспортных поставок «Микрона» приходится на Китай.

В 2008–2009 годах мир будоражил глобальный финансовый кризис. Падение рынков микроэлектроники в 2009 году по отношению к 2008 году составило от 17 до 39%. Учитывая плохо прогнозируемую экономическую ситуацию в стране, для поддержания дальнейшей стабильности ОАО «НИИМЭ и Микрон» на предприятии была выработана стратегия, направленная на минимизацию последствий кризиса.

Это — обеспечение максимальной экономии по всем возможным статьям расходов, работа над увеличением объема продаж и отслеживание бизнес-ситуации партнеров, тщательный отбор контрагентов с учетом их реальной платежеспособности. Работая в условиях экономической рецессии, руководство предприятия было вынуждено принять ряд непопулярных решений: экономить премиальный фонд, практиковать неполную занятость, приостановить ряд проектов.

Чтобы покрыть образовавшийся недостаток оборотных средств, руководство «Микрона» приняло ряд оперативных мер.

Во-первых, было произведено повышение цен на продукцию. Оно составило приблизительно 9%, тогда как конкуренты подняли цены на 10–15%. Также усилия были направлены на то, чтобы сохранить наиболее перспективных клиентов. Под руководством генерального директора Г.Я. Красникова был разработан ряд гибких платежных схем. Предусмотрена схема преференций по ценам при проведении авансовых платежей. При расширении номенклатурного ряда клиентам рассылались образцы наиболее перспективных микросхем.

Из положительных явлений следует отметить, что в 2009 году выросло количество заказов на транспортные билеты и были выполнены совместные программы с Минфином, направленные на погашение долга перед КНР. На фоне ухудшения экономической ситуации были успешно реализованы мероприятия по оптимизации расходов и реализованы меры по стимулированию продаж на внутреннем и внешнем рынках. При таком значительном падении рынков:

— выручка «Микрона» по Российским стандартам бухгалтерского учета (РСБУ) в рублях снизилась в относительном выражении на меньшую величину;

— чистая прибыль компании по РСБУ увеличилась в 5 раз, чистые активы выросли на 26%;

— предприятие решило поставленные задачи и достигло тех целевых ориентиров, которые поставил ему акционер;

— в декабре предприятие приступило к проекту организации производства продукции с проектными нормами 90 нм.

Предприятие в своей деятельности сосредоточилось на новых проектах компании, в которые были инвестированы значительные ресурсы. В планах предприятия было не только расширение географии поставок продукции «Микрона», но и выход на новые рынки. Кроме совершенствования уже существующих технологий (0,8 мкм, 0,18 мкм) развиваются новые технологии с минимальными размерами элементов 90 нм и формируются планы по дальнейшему уменьшению топологических элементов до 65–45 нм в будущем. Продукция, которая будет выпускаться по новым технологиям «Микрона», нацелена на такие развивающиеся массовые рынки, как цифровое телевидение, ГЛОНАСС/GPS навигация, системы автоматизации производства, автомобильная электроника и смарт-карты с высокой степенью защиты. Для реализации проекта освоения технологии 90 нм было образовано дочернее предприятие ООО «СИТРОНИКС Нано», соучредителем которого вместе с ОАО «НИИМЭ и Микрон» стала госкорпорация РОСНАНО. Запланированные инвестиции РОСНАНО составляют 600,5 млрд руб.

Данный проект имеет важное значение для России. Его реализация будет способствовать выполнению таких федеральных целевых программ, как «Национальная технологическая база» 2007–2011 гг. и «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» 2008–2015 гг. Цели проекта полностью соответствуют приоритетам государственной политики по созданию стратегически важных инфраструктурных объектов, от которых зависит устойчивое функционирование электронной отрасли.

Благодаря партнерству с государством, мировыми лидерами отрасли и накопленному опыту «Микрон» становится стартовой площадкой для развития российских инноваций в области микро- и наноэлектроники. Внедрение технологии 180 нм подразумевает последующее внедрение 130 нм и 110 нм. Но, начав сразу осваивать 90 нм, компания вновь перешагнула сразу через несколько ступеней развития. Именно 90 нм является последней технологией, которая используется на пластинах диаметром 200 мм, и первой, которая используется на пластинах диаметром 300 мм. Помимо начавшегося проекта по лицензированию технологии 90 нм на предприятии ведутся исследования и разработки, в первую очередь связанные с модификацией и адаптацией лицензированных технологий с проектными нормами 180 нм и их видоизменением для различных приложений.

И здесь есть несколько основных направлений. Первое направление — создание семейства технологий для получения схем специального назначения, в частности авиационно-космического применения с повышенной радиационной стойкостью. Вторым направлением исследований и разработок является освоение технологии БиКМОП БИС для телекоммуникационных и СВЧ применений. Третьим направлением разработок является создание современной инфраструктуры проектирования сложных СБИС типа «система на кристалле», которую необходимо создать как для «своих» разработчиков, так и для сторонних дизайн-центров. Четвертое серьезное направление — освоение всей технологии, связанной с подготовкой информации для изготовления фотошаблонов.

В рамках программы развития «Микрона» было организовано ООО «СИТРОНИКС-микродизайн». Целевыми направлениями деятельности «Микродизайна» являются ведение работ, связанных со схемами авиационно-космического применения, и работы по созданию флэш-памяти. Располагая полным комплектом средств проектирования, компания выполняет заказы «Микрона» по дизайну IP-блоков.

«СИТРОНИКС Микродизайн» функционально дополняет центр проектирования ОАО «НИИМЭ и Микрон», поскольку объем работ по всем направлениям значителен и имеет тенденцию к дальнейшему расширению.

Ветераны Великой Отечественной войны в гостях у руководителей предприятия.
Май 2004 года

В 2010 году изготовлены первые образцы новой технологии «кремний на изоляторе», в 2011 году планировалось поставить эту технологию на поток, чтобы довести ее до коммерческого применения. В дальнейшем ею смогут пользоваться и другие дизайнеры при разработке интегральных схем.

Это будет новый рынок, связанный с Роскосмосом, он достаточно объемный и поэтому крайне важен для «Микрона». Другим очень перспективным направлением развития предприятия является развитие RFID-решений. Запущенный еще в 2006 году проект RFID активно развивается: это направление приносит «Микрону» порой до 50% выручки. Интерес к этому сегменту проявляют не только в стране, но и за рубежом. Состоялся визит на ОАО «НИИМЭ и Микрон» делегации Шанхайского метрополитена для знакомства с опытом производства бесконтактных проездных билетов (RFID) для транспортных компаний.

Интерес проявляют даже компании из далекой Аргентины. «Микрон» поставил транспортные RFID-билеты для наземного транспорта Стамбула. «Микрон» впервые осуществил столь масштабную поставку бесконтактных RFID-карт для зарубежного заказчика. Объем поставки билетов для наземного транспорта Стамбула составил 2,42 млн штук. Транспортные RFID-карты «Микрона» на одну и две поездки выполнены на бумажной основе, содержат кристалл Ultra Light и соответствуют международному стандарту ISO 14443А.

1 июля 2011 года Совет директоров ОАО «НИИМЭ и Микрон» принял решение об учреждении открытого акционерного общества «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники — ОАО «НИИМЭ», а также изменении в руководящем составе компании.

Генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» Геннадий Яковлевич Красников назначен генеральным директором ОАО «НИИМЭ», председателем Совета директоров ОАО «НИИМЭ и Микрон», а также назначен Генеральным конструктором ОАО «НИИМЭ и Микрон». Он сохранил за собой управление микроэлектронным направлением головной компании — «СИТРОНИКСА» — в должности вице-президента и руководителя бизнес-направления «Микроэлектроника».

Новым гендиректором «Микрона» стал Михаил Георгиевич Бирюков, ранее занимавший должность заместителя гендиректора по развитию. Вновь образованное ОАО «НИИМЭ» вошло в состав бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектроника».

Среди первоочередных задач «НИИМЭ» — разработка СБИС высокой функциональной сложности с топологическими размерами 180–90 нм и внедрение их в производство, расширение набора технологий уровня 180–90 нм на заводе «Микрон», создание новых технологий, в том числе 65–45 нм и менее, координация разработок РАН, других институтов, университетов и лабораторий с целью их коммерциализации в массовом производстве микроэлектроники.

НИИМЭ определен базовой организацией созданного в марте 2011 года во исполнение поручения Правительства РФ, с целью проведения единой технической политики и координации работ, межведомственного Совета главных конструкторов по электронной компонентной базе (ЭКБ). В состав совета входят представители федеральных органов исполнительной власти, ведомств и интегрированных структур, в том числе Минобороны России, Минпромторга России, МЧС России, Минобрнауки России, МВД России, ФСБ России, ФАНО, ФМС России, РАН, Роскосмос, Росатом, концернов «Ростехнологии», «ВКО «Алмаз — Антей», «РТИ Системы», «НПО «Аврора», «Вега», «Созвездие», Объединенной приборостроительной корпорации, холдинга ОАО «Росэлектроника» и других организаций, участвующих в создании, закупках, поставках, испытаниях и применении ЭКБ. Академик Г.Я. Красников назначен руководителем этого совета.

Для усиления направления проектирования создано новое юридическое лицо — ОАО «Дизайн центр «Микрон».

Новый R&D центр нацелен быть не просто лабораториями при заводе, а национальным дизайн-центром. «Микрон» давно вынашивал планы по объединению разрозненных дизайн-центров, которые сейчас «работают на иностранные компании, поставляя им интеллектуальную собственность», в единую экосистему, где зеленоградское производство выступит как «консолидатор и как производственная площадка (foundry) для превращения разработок дизайн-центров в массовую продукцию, в серьезные продажи.

Стать «фаундри» для российской электронной промышленности «Микрон» стремится не первый год. К примеру, еще в декабре 2009 года на совещании в Минпромторге было принято решение сконцентрировать вокруг «Микрона» дизайн-центры, получающие бюджетное финансирование. Создана международная отраслевая рабочая группа по развитию российской нано- и микроэлектроники, ее первое заседание состоялось 1 февраля 2011 года в Зеленограде в ОАО «НИИМЭ и Микрон». Основная задача рабочей группы — выработка предложений по развитию российской микроэлектроники.

Весной 2011 года АФК «Система» приняла решение о продаже 63,9% «СИТРОНИКСА» концерну РТИ, учрежденному АФК совместно с Банком Москвы. Идея логична — объединить весь высокотехнологичный бизнес под одной крышей. Сейчас «СИТРОНИКС» — публичная компания, 17,55% ее акций торгуется на Лондонской фондовой бирже. ОАО «НИИМЭ и Микрон» совместно с «СИТРОНИКС Микроэлектроника» выступили официальными партнерами международной выставки SЕМ1СОN Russia 2011.