Лауреат Нобелевской премии, Ленинской премии, Государственной премии СССР, Государственной премии РФ, полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством», вице-президент РАН, академик РАН, доктор физико-математических наук, председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, ректор Санкт-Петербургского национального исследовательского академического университета РАН, член Комитета Госдумы по образованию и науке, почетный гражданин городов Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и города Сан-Кристобаля (Венесуэла)

Вклад Жореса Алфёрова в развитие науки поистине революционный. Автор более 500 трудов и 50 прорывных открытий и разработок, он заложил основы принципиально новой электроники. Его открытия определили возникновение и прогресс сотовой телефонии и спутниковой связи, оптоволоконной связи и светодиодного освещения. Вся современная фотоника, быстрая электроника, в значительной степени «солнечная энергетика» и эффективное энергосбережение основаны на их использовании. Они используются в фарах автомобилей и светофорах, в оборудовании супермаркетов — декодерах товарных ярлыков — перечень бесконечен. Едва ли не каждый житель планеты ежедневно пользуется научными разработками Жореса Алфёрова. Во всех мобильных телефонах есть гетероструктурные полупроводники, созданные им. Без «лазера Алфёрова» были бы невозможны проигрыватели компакт-дисков и дисководы современных компьютеров.

Его работы получили широчайшую известность и всемирное признание, вошли в учебники и монографии. Ученый успешно сочетает исследовательскую, педагогическую и просветительскую работу. Одно из важнейших направлений его общественной деятельности — повышение престижа отечественной фундаментальной науки. В мире академик известен как российский ученый, тем не менее он родом из Белоруссии.

(Иллюстрированная биография из книги «Кто есть кто в современной России»)

Жорес Иванович Алфёров родился 15 марта 1930 года в городе Витебске. Отец — Алфёров Иван Карпович. Мать — Алфёрова (Розенблюм) Анна Владимировна. Супруга — Алфёрова (Дарская) Тамара Георгиевна. Сын — Алфёров Иван Жоресович, председатель Правления фонда поддержки образования и науки (Алфёровского фонда). Дочь — Алфёрова Ольга Жоресовна, главный специалист отдела управления имуществом СПб НЦ РАН.

Отец будущего ученого родился в Чашниках, мать происходила из местечка Крайск (ныне — Логойский район Минской области Республики Беларусь). В 1912 году Иван Карпович Алфёров 18-летним юношей приехал в Санкт-Петербург. Работал грузчиком в порту, разнорабочим на конвертной фабрике, рабочим на заводе «Лесснер» (впоследствии «Завод им. Карла Маркса»). В Первую мировую дослужился до унтер-офицера, стал георгиевским кавалером. В сентябре 1917 года вступил в партию большевиков и на всю жизнь остался верен избранным в юности идеалам. Об этом, в частности, свидетельствуют и слова самого Жореса Ивановича: «Я счастлив, что мои родители не дожили до этого времени» (1994 год). В гражданскую войну Иван Алфёров командовал кавалерийским полком Красной армии, встречался с В.И. Лениным, Л.Д. Троцким, Б.Б. Думенко. После окончания Промакадемии в 1935 году он был директором заводов и начальником трестов: Сталинград, Новосибирск, Барнаул, Сясьстрой (под Ленинградом), Туринск (Свердловская область, военные годы), Минск (после войны). Ивану Карповичу были свойственны внутренняя порядочность и нетерпимость к огульному осуждению людей. Его жена, Анна Владимировна, обладала ясным умом и большой житейской мудростью, во многом унаследованной сыном. Работала в библиотеке, возглавляла совет жен-общественниц.

Супруги Алфёровы, как большинство людей того поколения, стойко верили в революционные идеи. Тогда появилась мода давать детям звучные революционные имена. Младший сын стал Жоресом в честь французского революционера Жана Жореса, а старший — Марксом в честь основоположника научного коммунизма. Жорес и Маркс были директорскими детьми, а значит, нужно было быть примером и в учебе, и в общественной жизни. Старший брат Жореса, Маркс, окончил школу 21 июня 1941 года в городе Сясьстрое. Поступил в Уральский индустриальный институт на энергетический факультет, но проучился лишь несколько недель, а потом решил, что его долг — защищать Родину. Сталинград, Харьков, Курская дуга, тяжелое ранение в голову. В октябре 1943 года он провел три дня с семьей в Свердловске, когда после госпиталя возвращался на фронт. И эти три дня, фронтовые рассказы старшего брата, его страстную юношескую веру в силу науки и инженерной мысли Жорес запомнил на всю жизнь. Гвардии младший лейтенант Маркс Иванович Алфёров погиб в бою во «втором Сталинграде» — так называли тогда Корсунь-Шевченковскую операцию.

В 1956 году Жорес приедет на Украину, чтобы найти могилу брата. В Киеве, на улице, он неожиданно встретит своего сослуживца Б.П. Захарченю, ставшего впоследствии его близким другом. Они поехали вместе: взяли билеты на пароход и поплыли вниз по Днепру к Каневу в двухместной каюте. Нашли деревню Хильки, около которой Маркс Алфёров яростно отражал попытку отборных немецких дивизий выйти из корсунь-шевченковского «котла». Нашли братскую могилу с белым гипсовым солдатом на постаменте, высящемся над буйно разросшейся травой, в которую были вкраплены простые цветы, какие обычно сажают на русских могилах: ноготки, анютины глазки, незабудки.

В разрушенном Минске Жорес Алфёров учился в единственной в то время русской мужской средней школе № 42, где преподавал замечательный учитель физики — Яков Борисович Мельцерзон. В школе не было физического кабинета, но влюбленный в физику Яков Борисович сумел передать ученикам свое отношение к любимому предмету, так что в довольно хулиганистом классе на его уроках никогда не шалили.

Жорес, пораженный рассказом учителя о работе катодного осциллографа и принципах радиолокации, поехал учиться в Ленинград, в Электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова (Ленина) (ныне — это Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет). Жоресу Ивановичу, по его словам, очень повезло с первым научным руководителем. На 3-м курсе, считая, что математика и теоретические дисциплины даются легко, а «руками» нужно многому учиться, он пошел работать в вакуумную лабораторию профессора Б.П. Козырева. Там, начав в 1950 году экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной, незадолго до этого защитившей диссертацию по исследованию полупроводниковых фотоприемников в ИК-области спектра, Жорес Алфёров впервые столкнулся с полупроводниками, ставшими главным делом его жизни.

Первой проштудированной монографией по физике полупроводников стала книга Ф.Ф. Волькенштейна «Электропроводность полупроводников», написанная во время блокады Ленинграда.

В октябре 1952 года проходило распределение. Ж.И. Алфёров мечтал о Физтехе, возглавляемом Абрамом Фёдоровичем Иоффе, монография которого «Основные представления современной физики» стала для молодого ученого настольной книгой. При распределении были три вакансии, и одна досталась Ж.И. Алфёрову.

Жорес Иванович много позже писал, что его счастливая жизнь в науке была предопределена именно этим распределением. В письме родителям в Минск он сообщил о выпавшем ему огромном счастье работать в институте Иоффе. Тогда он еще не знал, что Абрама Фёдоровича за два месяца до этого вынудили уйти из созданного им института, где он директорствовал более 30 лет.

Жоресу Ивановичу хорошо запомнился его первый день в Физико-техническом институте — 30 января 1953 года, когда он приступил к работе у нового научного руководителя, в то время заведующего сектором кандидата физико-математических наук Владимира Максимовича Тучкевича.

Перед небольшим коллективом сектора была поставлена очень важная задача: создание первых отечественных германиевых диодов и транзисторов с p–n-переходами.

Физтех в 1953 году был сравнительно небольшим институтом. Ж.И. Алфёров получил пропуск № 429, что означало численность всех сотрудников института на тот момент). Большинство знаменитых физтеховцев уехали в Москву к И.В. Курчатову и в другие вновь создаваемые «атомные» центры.

«Как одно из самых ярких событий в жизни я вспоминаю свое первое участие в полупроводниковом семинаре в Физтехе в феврале 1953 года. Это был блестящий доклад Е.Ф. Гросса об открытии экситона. Ощущение, которое я испытал тогда, трудно с чем-либо сравнить. Я был потрясен докладом о рождении открытия в той области науки, в которой я делал свои первые шаги», — отмечал Ж.И. Алфёров. Жорес Иванович как реликвию хранит свой лабораторный журнал того времени с записью о создании 5 марта 1953 года первого советского транзистора с p–n переходом.

Сегодня можно удивляться, как очень небольшой коллектив очень молодых сотрудников под руководством В.М. Тучкевича в течение нескольких месяцев разработал основы технологии и метрологии транзисторной электроники: А.А. Лебедев — получение и легирование совершенных монокристаллов германия, Ж.И. Алфёров — получение транзисторов с параметрами на уровне лучших мировых образцов, А.И. Уваров и С.М.Рывкин — создание прецизионной метрики кристаллов германия и транзисторов, Н.С. Яковчук — разработка схем на транзисторах. Уже в мае 1953 года первые советские транзисторные приемники демонстрировались «высокому начальству». В данной работе, которой коллектив отдавался со всей страстью молодости и сознанием высочайшей ответственности перед страной, очень быстро и эффективно шло формирование молодого ученого Алфёрова, понимание значения технологии не только для создания новых электронных приборов, но и для физических исследований, роли и значения «мелких», на первый взгляд, деталей в эксперименте, необходимости понимания «простых» основ прежде «высоконаучных» объяснений неудачных результатов.

В последующие годы небольшой коллектив «полупроводниковцев» ФТИ заметно расширился, и в очень короткое время в лаборатории В.М.  Тучкевича были созданы первые советские германиевые силовые выпрямители, германиевые фотодиоды и кремниевые солнечные батареи, исследовано поведение примесей в германии и кремнии.

В мае 1958 года к В.М. Тучкевичу обратился Анатолий Петрович Александров, будущий Президент Академии наук СССР, с просьбой разработать полупроводниковые устройства для первой советской атомной подводной лодки. Для решения задачи нужны были принципиально новые технология и конструкция германиевых вентилей. Младшему научному сотруднику Алфёрову лично звонил заместитель Председателя Правительства СССР Дмитрий Фёдорович Устинов. Пришлось на два месяца поселиться прямо в лаборатории, и работа была успешно выполнена в рекордно короткие сроки: уже в октябре 1958 года устройства были установлены на подводной лодке.

Для Жореса Ивановича и сегодня полученный в 1959 году за эту работу первый орден является одной из самых ценных наград.

В 1961 году он защитил кандидатскую диссертацию, посвященную в основном разработке и исследованию мощных германиевых и частично кремниевых выпрямителей. На базе этих работ возникла отечественная силовая полупроводниковая электроника. Если в начале исследований гетероструктур Ж.И. Алфёрову неоднократно приходилось убеждать своих молодых коллег, что они далеко не единственные в мире, кто считает, что полупроводниковые физика и электроника будут развиваться на основе гетеро-, а не гомоструктур, то с 1968 года началась серьезная конкуренция с лабораториями трех американских гигантов: Bell Telephone, IBM и RCA.

В 1967 году Жорес Иванович посетил лаборатории STL в английском городе Харлоу. В ходе той же командировки обсуждались лишь теоретические аспекты физики гетероструктур, поскольку английские коллеги считали экспериментальные исследования неперспективными.

Там же в Англии Жорес Иванович приобрел свадебные подарки для своей невесты, а сразу по возвращении на родину состоялась свадьба. Торжество проходило в роскошном ресторане «Крыша» в гостинице «Европейская». Его женой стала Тамара Дарская, дочь актера Воронежского театра музыкальной комедии Георгия Дарского. «Она удивительным образом сочетала несравненную красоту с глубоким умом и душевностью по отношению к своим друзьям», — подчеркивал Жорес Иванович. Она работала в Химках под Москвой в космической фирме академика В.П.  Глушко. Зарплата старшего научного сотрудника позволяла Жоресу Ивановичу еженедельные полеты по маршруту Ленинград — Москва и обратно, но через полгода Тамара Георгиевна переехала в Ленинград.

В 1968–1969 годах группой Ж.И. Алфёрова были практически реализованы все основные идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе системы GaAs — AlAs и показаны преимущества гетероструктур в полупроводниковых приборах (лазерах, светодиодах, солнечных батареях и транзисторах). Важнейшим было, конечно, создание низкопороговых, работающих при комнатной температуре лазеров на двойной гетероструктуре, предложенной Ж.И. Алфёровым еще в 1963 году.

Доклад Жореса Ивановича на Международной конференции по люминесценции в Ньюарке (США) в августе 1969 года, в котором приводились параметры низкопороговых, работающих при комнатной температуре лазеров на двойных гетероструктурах, произвел на заокеанских коллег впечатление разорвавшейся бомбы. Профессор Я. Панков из RCA, буквально за полчаса до доклада сообщивший Жоресу Ивановичу, что, к сожалению, для его визита на фирму нет разрешения, сразу после доклада обнаружил, что оно получено.

Ж.И. Алфёров не отказал себе в удовольствии ответить, что теперь у него нет времени, поскольку IBM и Bell Telephone уже пригласили посетить их лаборатории еще до доклада. После этого, как писал И. Хаяши, в Bell Telephone удвоили усилия по разработке лазеров на двойных гетероструктурах.

Зимой 1970-го — весной 1971 года Жорес Алфёров провел шесть месяцев в США, где работал в лаборатории полупроводниковых приборов Иллинойского университета совместно с Ником Холоньяком. Один из основателей полупроводниковой оптоэлектроники и изобретатель первых полупроводниковых лазеров видимого диапазона и светодиодов, он стал близким другом Жореса Ивановича.

В 1971 году работы по ДСГ-лазерам были отмечены присуждением Ж.И. Алфёрову первой международной награды — Золотой медали Баллантайна Франклиновского института в США. Особая ценность этой медали для Жореса Ивановича состоит в том, что Франклиновский институт в Филадельфии присуждал медали и другим советским ученым: академику П.Л. Капице (1944), академику Н.Н. Боголюбову (1974), академику А.Д. Сахарову (1981). Оказаться в такой компании — большая честь.

Одним из первых опытов успешного применения гетероструктур в нашей стране стало использование солнечных батарей в космических исследованиях. Солнечные батареи на основе гетероструктур были созданы Ж.И. Алфёровым и сотрудниками еще в 1970 году.

Эта технология была передана в НПО «Квант», и солнечные элементы на основе GaAlAs устанавливались на многих отечественных спутниках. Когда американцы опубликовали свои первые работы, советские солнечные батареи уже летали на спутниках. Было развернуто их промышленное производство, а 15-летняя эксплуатация на станции «Мир» блестяще доказала преимущества этих структур в космосе. И хотя прогноз резкого снижения стоимости одного ватта электрической мощности на основе полупроводниковых солнечных батарей пока не оправдался, в космосе самым эффективным источником энергии доныне безусловно являются солнечные батареи на гетероструктуpax соединений AIIIBV.

Препятствий на пути Жореса Алфёрова хватало. Отечественным спецслужбам 1970-х годов не нравились его многочисленные заграничные премии, и его пытались не пускать за границу на международные научные конференции. Появились завистники, но его предприимчивость, молниеносная реакция и ясный ум помогали преодолевать все препятствия, сопутствовала и удача.

1972 год стал особенно счастливым. Ж.И. Алфёрову и его ученикам-коллегам В.М. Андрееву, Д.З. Гарбузову, В.И. Королькову и Д.Н. Третьякову была присуждена Ленинская премия. К сожалению, в силу сугубо формальных обстоятельств и министерских игр этой вполне заслуженной награды были лишены ученые Р.Ф. Казаринов и Е.Л. Портной. В том же году Ж.И. Алфёров был избран в Академию наук СССР.

В день присуждения Ленинской премии Жорес Иванович находился в Москве и позвонил домой, чтобы сообщить о радостном событии, но телефон не отвечал. Он позвонил родителям (с 1963 года они жили в Ленинграде) и радостно сообщил отцу, что его сын — лауреат Ленинской премии, а в ответ услышал: «Что твоя Ленинская премия? У нас внук родился!» Рождение Вани Алфёрова было, безусловно, самой большой радостью 1972 года.

В 1987 году Жорес Иванович был избран директором ФТИ имени А.Ф. Иоффе, в 1989 году — председателем президиума Ленинградского научного центра АН СССР, а в апреле 1990 года — вице-президентом Академии наук СССР. Впоследствии на эти посты он был переизбран уже в Российской академии наук.

Под руководством Ж.И. Алфёрова удалось значительно расширить возможности проведения исследований  в Академии наук и развить систему эффективного сотрудничества с вузами и школой. При ФТИ была создана Физико-техническая школа и продолжен процесс создания на базе института специализированных учебных кафедр (первая кафедра такого рода — кафедра оптоэлектроники — была создана в ЛЭТИ еще в 1973 году). На основе уже существующей и вновь организованных базовых кафедр в Политехническом институте в 1988 году был создан физико-технический факультет. Развитие академической системы образования в Санкт-Петербурге выразилось в создании комплексного Научно-образовательного центра ФТИ, объединившего школьников, студентов и ученых в одном здании, которое можно с полным правом назвать Дворцом знаний.

В начале 1990-х годов одним из главных направлений работ, проводимых под руководством Жореса Ивановича Алфёрова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

В 1993–1994 годах впервые в мире были реализованы гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками — «искусственными атомами».

В 1995 году Жорес Иванович вместе со своими сотрудниками продемонстрировал инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Таким образом, исследования Жореса Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на базе гетероструктур, известных сегодня как «зонная инженерия».

10 декабря 2000 года Жоресу Ивановичу Алфёрову была вручена Нобелевская премия по физике. Премию он разделил с двумя зарубежными физиками — Гербертом Кремером и Джеком Килби.

Современные информационные системы должны отвечать простым, но основополагающим требованиям: быть быстрыми, чтобы большой объем информации можно было передать за короткий промежуток времени, и компактными, чтобы легко переносить с собой. Своими открытиями нобелевские лауреаты создали основу такой современной техники. Жорес Алфёров вместе с Гербертом Кремером открыли и развили быстрые опто- и микроэлектронные компоненты, которые создаются на базе многослойных полупроводниковых гетероструктур. Гетеролазеры передают, а гетероприемники принимают информационные потоки по волоконно-оптическим линиям связи. Гетеролазеры можно обнаружить также в проигрывателях CD-дисков, устройствах, декодирующих товарные ярлыки, в лазерных указках и множестве других приборов. На основе гетероструктур созданы мощные, высокоэффективные светоизлучающие диоды, используемые в освещении и дисплеях, лампах тормозного освещения в автомобилях и светофорах. В гетероструктурных солнечных батареях, которые широко используются в космической и наземной энергетике, достигнуты рекордные эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.

В 2003 году Ж.И. Алфёров оставил пост руководителя ФТИ имени А.Ф. Иоффе в связи с достижением предельного возраста, но до 2006 года занимал пост научного руководителя и председателя ученого совета института.

Академический университет создан по инициативе лауреата Нобелевской премии академика Жореса Ивановича Алфёрова, которому удалось в полной мере успешно реализовать идею «триединой композиции» Петра I (Академия наук, Академический университет, Академическая гимназия) путем интеграции Научно-образовательного центра (с 1999 года), Академического физико-технологического университета (с 2002 года) и Лицея «Физико-техническая школа» (с 1987 года). В настоящее время структуру Академического университета составляют 3 центра: Центр нанотехнологий (6 исследовательских лабораторий); Центр высшего образования (9 кафедр для подготовки бакалавров, магистров и аспирантов) и Центр общего образования — Лицей «Физико-техническая школа» для обучения одаренных школьников 8-11-го классов. Академик Жорес Иванович Алфёров возглавляет Академический университет с момента его создания и является ректором по настоящее время. С самого начала своего существования Академический университет был задуман как университет нового типа, реализующий образовательные программы магистерского и аспирантского уровней в тесном взаимодействии процесса обучения с передовыми научными исследованиями. Научная школа Академического университета, возглавляемая академиком Ж.И. Алфёровым, является признанным мировым лидером в области физики и технологий наногетероструктур. Приоритетным направлением Национального исследовательского Академического университета определены нанотехнологии для наноэлектроники, нанофотоники, возобновляемых источников энергии и нанобиосистем.

Одна из важнейших задач для Ж.И. Алфёрова — сохранение Академии наук как высшей и уникальной научной и образовательной структуры России. Ее хотели уничтожить в 1920-е годы как «наследие тоталитарного царского режима», а в 1990-е — как «наследие тоталитарного советского режима». Для ее сохранения Жорес Иванович согласился стать депутатом Государственной думы.

В своей книге «Физика и жизнь» он писал: «Ради этого великого дела мы шли иногда на компромиссы с властью, но не с совестью. Все, что создало человечество, оно создало благодаря науке. И если уж суждено нашей стране быть великой державой, то она ею будет не благодаря ядерному оружию или западным инвестициям, не благодаря вере в Бога или в президента, а благодаря труду ее народа, вере в знание, в науку, благодаря сохранению и развитию научного потенциала и образования».

В 1989–1992 годах Ж.И. Алфёров был народным депутатом СССР, в 1995–1999-м — депутатом Государственной думы Федерального собрания РФ 2-го созыва от движения «Наш дом — Россия» (НДР), председателем подкомитета по науке Комитета по науке и образованию Госдумы, членом фракции НДР, а с 1998 года он — член депутатской группы «Народовластие». В 1999–2003 годах являлся депутатом Госдумы 3-го созыва от партии КПРФ, членом фракции КПРФ, членом Комитета по образованию и науке. С 2003-го по 2007 год он — депутат Госдумы 4-го созыва от партии КПРФ, член фракции КПРФ, член Комитета по образованию и науке. В 2007–2011 годах был депутатом Госдумы 5-го созыва от партии КПРФ, членом фракции КПРФ, членом Комитета Госдумы по науке и наукоемким технологиям. Он был старейшим депутатом Госдумы 5-го созыва. В 2011–2016 годах Ж.И. Алфёров являлся депутатом Госдумы 6-го созыва от КПРФ. С 2016 года он — депутат 7-го созыва.

После начавшейся в 2013 году реформы РАН ученый неоднократно выражал негативное отношение к данному законопроекту, став одним из главных его противников.

В открытом письме Президенту РФ В.В. Путину, написанному им в июле 2013 года, говорилось: «После жесточайших реформ 1990-х годов, многое утратив, РАН, тем не менее сохранила свой научный потенциал гораздо лучше, чем отраслевая наука и вузы. Противопоставление академической и вузовской науки совершенно противоестественно и может проводиться только людьми, преследующими свои и очень странные политические цели, весьма далекие от интересов страны. Предложенный Д. Медведевым и Д. Ливановым в пожарном порядке Закон о реорганизации РАН и других государственных академий наук и, как сейчас очевидно, поддержанный Вами, отнюдь не решает задачу повышения эффективности научных исследований. Смею утверждать, что любая реорганизация, даже значительно более разумная, чем предложенная в упомянутом Законе, не решает эту проблему...». «Борьба за сохранение РАН — это не только борьба за будущее науки России, это борьба за будущее страны. И очень хотелось нам бороться за него вместе с Вами!»

С 2001 года Ж.И. Алфёров — президент учрежденного им Фонда поддержки образования и науки (Алфёровский фонд). Цель фонда — поддержка талантливой учащейся молодежи, содействие ее профессиональному росту, поощрение творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки.

Первый вклад в фонд был сделан Жоресом Алфёровым из средств Нобелевской премии. Он стал инициатором учреждения в 2002 году премии «Глобальная энергия», до 2006-го возглавлял Международный комитет по ее присуждению. Ж.И. Алфёров был главным редактором журнала «Физика и техника полупроводников», членом редколлегии журнала «Поверхность: физика, химия, механика», членом редакционной коллегии журнала «Наука и жизнь», членом правления Общества «Знание» РСФСР.

В настоящее время он — член редакционного совета радиогазеты «Слово», председатель Редакционной коллегии журнала «Нанотехнологии. Экология. Производство», главный редактор «Писем в Журнал технической физики». С 2010 года Ж.И. Алфёров является сопредседателем Консультативного научного совета фонда «Сколково».

В 2013 году ученый баллотировался на пост Президента РАН и с результатом 345 голосов занял пост вице-президента академии.

Жорес Иванович не забывает свои истоки: «Беларусь как была, так и осталась для меня родиной. И где бы за свою жизнь я ни находился, всегда старался приехать в родные места, подышать знакомым с детства воздухом, полюбоваться прекраснейшей природой. К сожалению, удается это сделать лишь на праздники». Жорес Алфёров поддерживает связь с учебными заведениями Беларуси, научными центрами, обществами, предприятиями, уделяет внимание развитию в стране совместно с Россией наукоемких отраслей промышленности, способствует поддержке белорусских талантливых ученых.

Ж.И. Алфёров — лауреат Нобелевской премии по физике — за разработку полупроводниковых гетероструктур для высокочастотной и оптоэлектроники (Швеция, 2000), Хьюллет-Паккардовской премии Европейского физического общества — за новые работы в области гетеропереходов (1978), Ленинской премии — за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе (1972), Государственной премии СССР — за разработку изопериодических гетероструктур на основе четверных твердых растворов полупроводниковых соединений AIIIBV (1984), Государственной премии Российской Федерации в области науки и техники — за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе» (2002), премии Ника Холоньяка (Оптическое общество Америки, 2000), премии А.П. Карпинского — за вклад в развитие физики и техники гетероструктур (ФРГ, 1989), премии имени А.Ф. Иоффе — за цикл работ «Фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения на основе гетероструктур» (РАН, 1996), Демидовской премии (Научный Демидовский фонд, Россия, 1999), премии Киото — за успехи в создании полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме при комнатных температурах, — пионерный шаг в оптоэлектронике (Инамори фонд, Япония, 2001), премии В.И. Вернадского (НАН Украины, 2001), премии «Российский национальный Олимп» — титул «Человек-легенда» (Россия, 2001), Международной энергетической премии «Глобальная энергия» (Россия, 2005).

Ж.И. Алфёров — полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством». Награжден орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, «Знак Почёта», Франциска Скорины (Республика Беларусь), князя Ярослава Мудрого V степени (Украина), Дружбы народов (Беларусь), Почётного легиона (Франция), Золотой медалью Х. Велькера — за пионерные работы по теории и технологии приборов на основе соединений III–V групп, медалью Стюарта Баллантайна — за теоретические и экспериментальные исследования двойных лазерных гетероструктур, благодаря которым были созданы источники лазерного излучения малых размеров, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре (Институт Франклина, США), Золотой медалью имени А.С. Попова (РАН), Золотой медалью SPIE, наградой Симпозиума по GaAs — за пионерные работы в области полупроводниковых гетероструктур на основе соединений III–V групп и разработку инжекционных лазеров и фотодиодов, наградой «Золотая тарелка» (Академия достижений, США), званием XLIX Менделеевский чтец, Почётным орденом РАУ и другими.

Ж.И. Алфёров — вице-президент РАН, академик РАН, кандидат технических наук, доктор физико-математических наук, председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, ректор Санкт-Петербургского национального исследовательского академического университета РАН, иностранный член Национальной инженерной академии и Национальной академии наук США, иностранный член Китайской академии наук, иностранный член академий наук Беларуси, Молдавии, Украины, Армении, Азербайджана.

Почетный академик Российской академии образования и других (более 30 академий и научных обществ), почетный профессор МФТИ, почетный профессор МИЭТ, почетный доктор Белорусского государственного университета, почетный доктор Российско-Армянского (Славянского) университета (Армения) и более 50 университетов мира.

Ж.И. Алфёров — почетный гражданин городов Санкт-Петербурга (Россия), Минска и Витебска (Республика Беларусь), Сан-Кристобаля (Венесуэла). Автор более 500 научных работ и 50 изобретений, а также книг «Физика и жизнь», «Наука и общество», «Власть без мозгов. Кому мешают академики».

Каждый день Жорес Иванович начинает с покорения водной дорожки бассейна на даче под Санкт-Петербургом, получая заряд бодрости, ведь график нобелевского лауреата расписан на несколько месяцев вперед. Еще 10-летним мальчиком прочитав книгу Вениамина Каверина «Два капитана», Жорес Алфёров всю жизнь следует принципу ее главного героя Сани Григорьева: «Бороться и искать, найти и не сдаваться!».